GOFORD SEMICONDUCTOR
· Полупроводники
GOFORD SEMICONDUCTOR G06NP06S2 — Транзисторы многоканальные
MPN / артикул: G06NP06S2
Транзистор: N/P-MOSFET; Trench; полевой; 60/-60В; 6/-6А; 2/2,5Вт
Монтаж: SMD · Корпус: SOP8 · Тип транзистора: N/P-MOSFET · Тип товара: Транзисторы многоканальные
О модели
Описание
GOFORD SEMICONDUCTOR G06NP06S2. Категория: «Транзисторы многоканальные».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SOP8; Напряжение сток-исток — 60/-60В; Ток стока — 6/-6А.
Тип транзистора — N/P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 2/2,5Вт; Полярность — полевой; Заряд затвора — 22/25нC.
Технология — Trench; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Перед заказом проверьте артикул G06NP06S2, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SOP8
- Тип транзистора
- N/P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- G06NP06S2
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
