GOFORD SEMICONDUCTOR
· Полупроводники
GOFORD SEMICONDUCTOR G05N06S2 — Транзисторы многоканальные
MPN / артикул: G05N06S2
Транзистор: N-MOSFET x2; Trench; полевой; 60В; 5А; 3,1Вт; SOP8
Ток стока: 5 А · Монтаж: SMD · Корпус: SOP8 · Тип транзистора: N-MOSFET x2 · Тип товара: Транзисторы многоканальные
О модели
Описание
GOFORD SEMICONDUCTOR G05N06S2. Категория: «Транзисторы многоканальные».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SOP8; Напряжение сток-исток — 60В; Ток стока — 5 А.
Тип транзистора — N-MOSFET x2; Рассеиваемая мощность — 3,1Вт; Полярность — полевой; Заряд затвора — 26нC.
Технология — Trench; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Перед заказом проверьте артикул G05N06S2, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 5 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SOP8
- Тип транзистора
- N-MOSFET x2
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- G05N06S2
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
