GOFORD SEMICONDUCTOR
· Полупроводники
GOFORD SEMICONDUCTOR G04P10HE — Транзисторы с каналом P SMD
MPN / артикул: G04P10HE
Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -100В; -4А; 1,2Вт; SOT223
Монтаж: SMD · Корпус: SOT223 · Тип транзистора: P-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом P SMD
О модели
Описание
GOFORD SEMICONDUCTOR G04P10HE. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SOT223; Напряжение сток-исток — -100В; Ток стока — -4А.
Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 1,2Вт; Полярность — полевой; Версия — ESD.
Заряд затвора — 32нC; Технология — Trench; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Перед заказом проверьте артикул G04P10HE, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SOT223
- Тип транзистора
- P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- G04P10HE
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
