GOFORD SEMICONDUCTOR
· Полупроводники
GOFORD SEMICONDUCTOR 60N06 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: 60N06
Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 60В; 55А; 60Вт; TO252
Ток стока: 55 А · Монтаж: SMD · Корпус: TO252 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
GOFORD SEMICONDUCTOR 60N06 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 55 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — TO252.
Напряжение сток-исток — 60В; Рассеиваемая мощность — 60Вт; Полярность — полевой; Заряд затвора — 54нC.
Технология — Trench; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Перед заказом проверьте артикул 60N06, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 55 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- TO252
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- 60N06
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
