GOFORD SEMICONDUCTOR
· Полупроводники
GOFORD SEMICONDUCTOR 2301H — Транзисторы с каналом P SMD
MPN / артикул: 2301H
Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -30В; -2,8А; 0,89Вт; SOT23
Монтаж: SMD · Корпус: SOT23 · Тип транзистора: P-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом P SMD
О модели
Описание
GOFORD SEMICONDUCTOR 2301H. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SOT23; Напряжение сток-исток — -30В; Ток стока — -2,8А.
Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 0,89Вт; Полярность — полевой; Заряд затвора — 4,5нC.
Технология — Trench; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Перед заказом проверьте артикул 2301H, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SOT23
- Тип транзистора
- P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- 2301H
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
