GeneSiC SEMICONDUCTOR
· Полупроводники
GeneSiC SEMICONDUCTOR GD2X100MPS06N — Диодные модули
MPN / артикул: GD2X100MPS06N
Модуль: диодный; 2 независимых диода; 650В; If: 108Аx2; SOT227B
Корпус: SOT227B · Максимальное обратное напряжение: 650 В · Тип товара: Диодные модули
О модели
Описание
GeneSiC SEMICONDUCTOR GD2X100MPS06N. Категория: «Диодные модули».
Корпус — SOT227B; Максимальное обратное напряжение — 650 В; Прямой ток макс. — 231А; Падение напряжения макс. — 1,8В.
Прямой ток — 108А x2; Конструкция диода — 2 независимых диода; Время готовности — 10нс; Импульсный ток — 0,44кА.
Электрический монтаж — винтами; Механический монтаж — винтами; Характеристики полупроводниковых элементов — MPS; Технология — SiC.
Тип полупроводникового модуля — диодный.
Перед заказом проверьте артикул GD2X100MPS06N, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Корпус
- SOT227B
- Максимальное обратное напряжение
- 650 В
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- GD2X100MPS06N
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
