GeneSiC SEMICONDUCTOR
· Полупроводники
GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R350MT12D — Транзисторы с каналом N THT
MPN / артикул: G3R350MT12D
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 8А; Idm: 16А; 74Вт
Ток стока: 8 А · Монтаж: THT · Корпус: TO247-3 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N THT
О модели
Описание
GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R350MT12D — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 8 А.
Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — TO247-3.
Напряжение сток-исток — 1,2кВ; Сопротивление в открытом состоянии — 0,35Ом; Рассеиваемая мощность — 74Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 12нC; Технология — G3R™; SiC; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — -5...15В.
Ток стока в импульсном режиме — 16А.
Перед заказом проверьте артикул G3R350MT12D, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 8 А
- Монтаж
- THT
- Корпус
- TO247-3
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- G3R350MT12D
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
