GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R30MT12K — Транзисторы с каналом N THT
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 63А; Idm: 200А; 400Вт
Ток стока: 63 А · Монтаж: THT · Корпус: TO247-4 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N THT
Описание
GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R30MT12K — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 63 А.
Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — TO247-4.
Напряжение сток-исток — 1,2кВ; Сопротивление в открытом состоянии — 30мОм; Рассеиваемая мощность — 400Вт; Полярность — полевой.
Характеристики полупроводниковых элементов — вывод Кельвина; Заряд затвора — 155нC; Технология — G3R™; SiC; Вид канала — обогащенный.
Напряжение затвор-исток — -5...15В; Ток стока в импульсном режиме — 200А.
Технические характеристики
- Ток стока
- 63 А
- Монтаж
- THT
- Корпус
- TO247-4
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- G3R30MT12K
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
