GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R30MT12J — Транзисторы с каналом N SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 68А; Idm: 200А; 459Вт
Ток стока: 68 А · Монтаж: SMD · Корпус: TO263-7 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
Описание
GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R30MT12J — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 68 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — TO263-7.
Напряжение сток-исток — 1,2кВ; Сопротивление в открытом состоянии — 30мОм; Рассеиваемая мощность — 459Вт; Полярность — полевой.
Характеристики полупроводниковых элементов — вывод Кельвина; Заряд затвора — 155нC; Технология — G3R™; SiC; Вид канала — обогащенный.
Напряжение затвор-исток — -5...15В; Ток стока в импульсном режиме — 200А.
Технические характеристики
- Ток стока
- 68 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- TO263-7
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- G3R30MT12J
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
