GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R20MT17K — Транзисторы с каналом N THT
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 88А; Idm: 300А; 809Вт
Ток стока: 88 А · Монтаж: THT · Корпус: TO247-4 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N THT
Описание
GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R20MT17K — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 88 А.
Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — TO247-4.
Напряжение сток-исток — 1,7кВ; Сопротивление в открытом состоянии — 20мОм; Рассеиваемая мощность — 809Вт; Полярность — полевой.
Характеристики полупроводниковых элементов — вывод Кельвина; Заряд затвора — 400нC; Технология — G3R™; SiC; Вид канала — обогащенный.
Напряжение затвор-исток — -5...15В; Ток стока в импульсном режиме — 300А.
Технические характеристики
- Ток стока
- 88 А
- Монтаж
- THT
- Корпус
- TO247-4
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- G3R20MT17K
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
