GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R20MT12K — Транзисторы с каналом N THT
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 90А; Idm: 240А; 542Вт
Ток стока: 90 А · Монтаж: THT · Корпус: TO247-4 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N THT
Описание
GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R20MT12K — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 90 А.
Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — TO247-4.
Напряжение сток-исток — 1,2кВ; Сопротивление в открытом состоянии — 20мОм; Рассеиваемая мощность — 542Вт; Полярность — полевой.
Характеристики полупроводниковых элементов — вывод Кельвина; Заряд затвора — 219нC; Технология — G3R™; SiC; Вид канала — обогащенный.
Напряжение затвор-исток — -5...15В; Ток стока в импульсном режиме — 240А.
Технические характеристики
- Ток стока
- 90 А
- Монтаж
- THT
- Корпус
- TO247-4
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- G3R20MT12K
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
