GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R160MT17J — Транзисторы с каналом N SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 15А; Idm: 48А; 187Вт
Ток стока: 15 А · Монтаж: SMD · Корпус: TO263-7 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
Описание
GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R160MT17J — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 15 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — TO263-7.
Напряжение сток-исток — 1,7кВ; Сопротивление в открытом состоянии — 0,16Ом; Рассеиваемая мощность — 187Вт; Полярность — полевой.
Характеристики полупроводниковых элементов — вывод Кельвина; Заряд затвора — 51нC; Технология — G3R™; SiC; Вид канала — обогащенный.
Напряжение затвор-исток — -5...15В; Ток стока в импульсном режиме — 48А.
Технические характеристики
- Ток стока
- 15 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- TO263-7
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- G3R160MT17J
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
