GeneSiC SEMICONDUCTOR
· Полупроводники
GeneSiC SEMICONDUCTOR G2R1000MT17J — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: G2R1000MT17J
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 4А; Idm: 8А; 54Вт; TO263-7
Ток стока: 4 А · Монтаж: SMD · Корпус: TO263-7 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
GeneSiC SEMICONDUCTOR G2R1000MT17J — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 4 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — TO263-7.
Напряжение сток-исток — 1,7кВ; Сопротивление в открытом состоянии — 1Ом; Рассеиваемая мощность — 54Вт; Полярность — полевой.
Характеристики полупроводниковых элементов — вывод Кельвина; Технология — G2R™; SiC; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — -5...20В.
Ток стока в импульсном режиме — 8А.
Перед заказом проверьте артикул G2R1000MT17J, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 4 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- TO263-7
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- G2R1000MT17J
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
