DIODES INCORPORATED
· Полупроводники
DIODES INCORPORATED ZXMS6005DGTA — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: ZXMS6005DGTA
Транзистор: N-MOSFET; IntelliFET™; полевой; 60В; 2А; 1,3Вт; SOT223
Ток стока: 2 А · Монтаж: SMD · Корпус: SOT223 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
DIODES INCORPORATED ZXMS6005DGTA — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 2 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SOT223.
Напряжение сток-исток — 60В; Сопротивление в открытом состоянии — 0,2Ом; Рассеиваемая мощность — 1,3Вт; Полярность — полевой.
Версия — ESD; Характеристики полупроводниковых элементов — logic level; Технология — IntelliFET™; Вид канала — обогащенный.
Перед заказом проверьте артикул ZXMS6005DGTA, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 2 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SOT223
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- ZXMS6005DGTA
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
