DIODES INCORPORATED
· Полупроводники
DIODES INCORPORATED ZXMP6A17E6QTA — Транзисторы с каналом P SMD
MPN / артикул: ZXMP6A17E6QTA
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -3А; Idm: -13,6А; 1,92Вт; SOT26
Монтаж: SMD · Корпус: SOT26 · Тип транзистора: P-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом P SMD
О модели
Описание
DIODES INCORPORATED ZXMP6A17E6QTA. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SOT26; Напряжение сток-исток — -60В; Ток стока — -3А.
Сопротивление в открытом состоянии — 0,125Ом; Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 1,92Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 17,7нC; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В; Ток стока в импульсном режиме — -13,6А.
Перед заказом проверьте артикул ZXMP6A17E6QTA, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SOT26
- Тип транзистора
- P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- ZXMP6A17E6QTA
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
