DIODES INCORPORATED
· Полупроводники
DIODES INCORPORATED ZXMP3A16N8TA — Транзисторы с каналом P SMD
MPN / артикул: ZXMP3A16N8TA
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -5,4А; Idm: -26А; 1,9Вт; SO8
Монтаж: SMD · Корпус: SO8 · Тип транзистора: P-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом P SMD
О модели
Описание
DIODES INCORPORATED ZXMP3A16N8TA. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SO8; Напряжение сток-исток — -30В; Ток стока — -5,4А.
Сопротивление в открытом состоянии — 70мОм; Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 1,9Вт; Полярность — полевой.
Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В; Ток стока в импульсном режиме — -26А.
Перед заказом проверьте артикул ZXMP3A16N8TA, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SO8
- Тип транзистора
- P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- ZXMP3A16N8TA
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
