DIODES INCORPORATED
· Полупроводники
DIODES INCORPORATED ZXMN6A09GTA — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: ZXMN6A09GTA
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 6,2А; 2Вт; SOT223
Ток стока: 6,2 А · Монтаж: SMD · Корпус: SOT223 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
DIODES INCORPORATED ZXMN6A09GTA — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 6,2 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SOT223.
Напряжение сток-исток — 60В; Сопротивление в открытом состоянии — 60мОм; Рассеиваемая мощность — 2Вт; Полярность — полевой.
Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Перед заказом проверьте артикул ZXMN6A09GTA, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 6,2 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SOT223
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- ZXMN6A09GTA
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
