DIODES INCORPORATED
· Полупроводники
DIODES INCORPORATED ZXMN3B04N8TA — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: ZXMN3B04N8TA
Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 30В; 8,9А; 2Вт; SO8
Ток стока: 8,9 А · Монтаж: SMD · Корпус: SO8 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
DIODES INCORPORATED ZXMN3B04N8TA — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 8,9 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SO8.
Напряжение сток-исток — 30В; Сопротивление в открытом состоянии — 25мОм; Рассеиваемая мощность — 2Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 23,1нC; Технология — Trench; Вид канала — обогащенный.
Перед заказом проверьте артикул ZXMN3B04N8TA, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 8,9 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SO8
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- ZXMN3B04N8TA
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
