DIODES INCORPORATED
· Полупроводники
DIODES INCORPORATED ZXMN10B08E6QTA — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: ZXMN10B08E6QTA
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 1,6А; 1,1Вт; SOT26
Ток стока: 1,6 А · Монтаж: SMD · Корпус: SOT26 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
DIODES INCORPORATED ZXMN10B08E6QTA — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 1,6 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SOT26.
Напряжение сток-исток — 100В; Сопротивление в открытом состоянии — 0,23Ом; Рассеиваемая мощность — 1,1Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 5нC.
Перед заказом проверьте артикул ZXMN10B08E6QTA, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 1,6 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SOT26
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- ZXMN10B08E6QTA
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
