DIODES INCORPORATED
· Полупроводники
DIODES INCORPORATED DMT8012LK3-13 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: DMT8012LK3-13
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 28А; Idm: 80А; 2,7Вт; TO252
Ток стока: 28 А · Монтаж: SMD · Корпус: TO252 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
DIODES INCORPORATED DMT8012LK3-13 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 28 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — TO252.
Напряжение сток-исток — 80В; Сопротивление в открытом состоянии — 22мОм; Рассеиваемая мощность — 2,7Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 34нC; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В; Ток стока в импульсном режиме — 80А.
Перед заказом проверьте артикул DMT8012LK3-13, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 28 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- TO252
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- DMT8012LK3-13
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
