DIODES INCORPORATED
· Полупроводники
DIODES INCORPORATED DMT67M8LSS-13 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: DMT67M8LSS-13
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 11,8А; Idm: 120А; 2,2Вт; SO8
Ток стока: 11,8 А · Монтаж: SMD · Корпус: SO8 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
DIODES INCORPORATED DMT67M8LSS-13 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 11,8 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SO8.
Напряжение сток-исток — 60В; Сопротивление в открытом состоянии — 8,4мОм; Рассеиваемая мощность — 2,2Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 37,5нC; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В; Ток стока в импульсном режиме — 120А.
Перед заказом проверьте артикул DMT67M8LSS-13, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 11,8 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SO8
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- DMT67M8LSS-13
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
