DIODES INCORPORATED · Полупроводники

DIODES INCORPORATED DMT6010LSS-13 — Транзисторы с каналом N SMD

MPN / артикул: DMT6010LSS-13

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 13,5А; Idm: 80А; 2Вт; SO8

Производитель автоматикиDIODES INCORPORATED
АртикулDMT6010LSS-13
РазделПолупроводники
Единицашт

Ток стока: 13,5 А · Монтаж: SMD · Корпус: SO8 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD

Фото товара

DIODES INCORPORATED DMT6010LSS-13 — Транзисторы с каналом N SMD

1 / 1

Внешний вид может зависеть от исполнения. Перед заказом сверяйте маркировку и артикул.

О модели

Описание

DIODES INCORPORATED DMT6010LSS-13 — транзистор.

Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 13,5 А.

Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SO8.

Напряжение сток-исток — 60В; Сопротивление в открытом состоянии — 12мОм; Рассеиваемая мощность — 2Вт; Полярность — полевой.

Заряд затвора — 41,3нC; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В; Ток стока в импульсном режиме — 80А.

Перед заказом проверьте артикул DMT6010LSS-13, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры

Технические характеристики

Ток стока
13,5 А
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Тип транзистора
N-MOSFET
Единица продажи
шт
Артикул производителя
DMT6010LSS-13
Инженерный подбор

Не нашли точную модель?

На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.