DIODES INCORPORATED
· Полупроводники
DIODES INCORPORATED DMP56D0UFB-7B — Транзисторы с каналом P SMD
MPN / артикул: DMP56D0UFB-7B
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -50В; -0,2А; 0,425Вт; X1-DFN1006-3
Монтаж: SMD · Корпус: X1-DFN1006-3 · Тип транзистора: P-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом P SMD
О модели
Описание
DIODES INCORPORATED DMP56D0UFB-7B. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — X1-DFN1006-3; Напряжение сток-исток — -50В; Ток стока — -0,2А.
Сопротивление в открытом состоянии — 6Ом; Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 0,425Вт; Полярность — полевой.
Версия — ESD; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±8В.
Перед заказом проверьте артикул DMP56D0UFB-7B, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- X1-DFN1006-3
- Тип транзистора
- P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- DMP56D0UFB-7B
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
