DIODES INCORPORATED
· Полупроводники
DIODES INCORPORATED DMP45H4D9HJ3 — Транзисторы с каналом P THT
MPN / артикул: DMP45H4D9HJ3
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -450В; -3А; Idm: -22,4А; 41Вт; TO251
Монтаж: THT · Корпус: TO251 · Тип транзистора: P-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом P THT
О модели
Описание
DIODES INCORPORATED DMP45H4D9HJ3. Категория: «Транзисторы с каналом P THT».
Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — TO251; Напряжение сток-исток — -450В; Ток стока — -3А.
Сопротивление в открытом состоянии — 4,9Ом; Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 41Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 13,7нC; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±30В; Ток стока в импульсном режиме — -22,4А.
Перед заказом проверьте артикул DMP45H4D9HJ3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- THT
- Корпус
- TO251
- Тип транзистора
- P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- DMP45H4D9HJ3
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
