DIODES INCORPORATED
· Полупроводники
DIODES INCORPORATED DMP2008UFG-7 — Транзисторы с каналом P SMD
MPN / артикул: DMP2008UFG-7
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -11А; Idm: -80А; 2,4Вт
Монтаж: SMD · Корпус: PowerDI®3333-8 · Тип транзистора: P-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом P SMD
О модели
Описание
DIODES INCORPORATED DMP2008UFG-7. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — PowerDI®3333-8; Напряжение сток-исток — -20В; Ток стока — -11А.
Сопротивление в открытом состоянии — 8мОм; Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 2,4Вт; Полярность — полевой.
Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±8В; Ток стока в импульсном режиме — -80А.
Перед заказом проверьте артикул DMP2008UFG-7, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- PowerDI®3333-8
- Тип транзистора
- P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- DMP2008UFG-7
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
