DIODES INCORPORATED
· Полупроводники
DIODES INCORPORATED DMP10H4D2S-13 — Транзисторы с каналом P SMD
MPN / артикул: DMP10H4D2S-13
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -210мА; Idm: -1А; 440мВт
Монтаж: SMD · Корпус: SOT23 · Тип транзистора: P-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом P SMD
О модели
Описание
DIODES INCORPORATED DMP10H4D2S-13. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SOT23; Напряжение сток-исток — -100В; Ток стока — -0,21А.
Сопротивление в открытом состоянии — 5мОм; Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 0,44Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 1,8нC; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В; Ток стока в импульсном режиме — -1А.
Перед заказом проверьте артикул DMP10H4D2S-13, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SOT23
- Тип транзистора
- P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- DMP10H4D2S-13
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
