DIODES INCORPORATED · Полупроводники

DIODES INCORPORATED DMN63D8LDW-13 — Транзисторы многоканальные

MPN / артикул: DMN63D8LDW-13

Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 0,17А; Idm: 0,8А; 0,4Вт; ESD

Производитель автоматикиDIODES INCORPORATED
АртикулDMN63D8LDW-13
РазделПолупроводники
Единицашт

Ток стока: 0,17 А · Монтаж: SMD · Корпус: SOT363 · Тип транзистора: N-MOSFET x2 · Тип товара: Транзисторы многоканальные

Фото товара

DIODES INCORPORATED DMN63D8LDW-13 — Транзисторы многоканальные

1 / 1

Внешний вид может зависеть от исполнения. Перед заказом сверяйте маркировку и артикул.

О модели

Описание

DIODES INCORPORATED DMN63D8LDW-13. Категория: «Транзисторы многоканальные».

Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SOT363; Напряжение сток-исток — 30В; Ток стока — 0,17 А.

Сопротивление в открытом состоянии — 4,5Ом; Тип транзистора — N-MOSFET x2; Рассеиваемая мощность — 0,4Вт; Полярность — полевой.

Версия — ESD; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В; Ток стока в импульсном режиме — 0,8А.

Перед заказом проверьте артикул DMN63D8LDW-13, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры

Технические характеристики

Ток стока
0,17 А
Монтаж
SMD
Корпус
SOT363
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Единица продажи
шт
Артикул производителя
DMN63D8LDW-13
Инженерный подбор

Не нашли точную модель?

На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.