DIODES INCORPORATED
· Полупроводники
DIODES INCORPORATED DMN60H080DS-13 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: DMN60H080DS-13
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 70мА; Idm: 0,2А; 1,1Вт; SOT23
Ток стока: 0,07 А · Монтаж: SMD · Корпус: SOT23 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
DIODES INCORPORATED DMN60H080DS-13 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 0,07 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SOT23.
Напряжение сток-исток — 600В; Сопротивление в открытом состоянии — 0,29Ом; Рассеиваемая мощность — 1,1Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 1,7нC; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В; Ток стока в импульсном режиме — 0,2А.
Перед заказом проверьте артикул DMN60H080DS-13, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 0,07 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SOT23
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- DMN60H080DS-13
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
