DIODES INCORPORATED
· Полупроводники
DIODES INCORPORATED DMN30H4D0L-13 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: DMN30H4D0L-13
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 300В; 200мА; Idm: 2А; 470мВт; SOT23
Ток стока: 0,2 А · Монтаж: SMD · Корпус: SOT23 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
DIODES INCORPORATED DMN30H4D0L-13 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 0,2 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SOT23.
Напряжение сток-исток — 300В; Сопротивление в открытом состоянии — 6Ом; Рассеиваемая мощность — 0,47Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 7,6нC; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В; Ток стока в импульсном режиме — 2А.
Перед заказом проверьте артикул DMN30H4D0L-13, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 0,2 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SOT23
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- DMN30H4D0L-13
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
