DIODES INCORPORATED
· Полупроводники
DIODES INCORPORATED DMN3032LE-13 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: DMN3032LE-13
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4,1А; Idm: 25А; 1,8Вт; SOT223
Ток стока: 4,1 А · Монтаж: SMD · Корпус: SOT223 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
DIODES INCORPORATED DMN3032LE-13 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 4,1 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SOT223.
Напряжение сток-исток — 30В; Сопротивление в открытом состоянии — 29мОм; Рассеиваемая мощность — 1,8Вт; Полярность — полевой.
Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В; Ток стока в импульсном режиме — 25А.
Перед заказом проверьте артикул DMN3032LE-13, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 4,1 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SOT223
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- DMN3032LE-13
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
