DIODES INCORPORATED
· Полупроводники
DIODES INCORPORATED DMN2300UFB4-7B — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: DMN2300UFB4-7B
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,96А; 0,5Вт; X1-DFN1006-3; ESD
Ток стока: 0,96 А · Монтаж: SMD · Корпус: X1-DFN1006-3 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
DIODES INCORPORATED DMN2300UFB4-7B — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 0,96 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — X1-DFN1006-3.
Напряжение сток-исток — 20В; Сопротивление в открытом состоянии — 0,5Ом; Рассеиваемая мощность — 0,5Вт; Полярность — полевой.
Версия — ESD; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±8В.
Перед заказом проверьте артикул DMN2300UFB4-7B, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 0,96 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- X1-DFN1006-3
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- DMN2300UFB4-7B
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
