DIODES INCORPORATED
· Полупроводники
DIODES INCORPORATED DMN10H170SVT-7 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: DMN10H170SVT-7
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 2,1А; Idm: 11,2А; 1,7Вт; TSOT26
Ток стока: 2,1 А · Монтаж: SMD · Корпус: TSOT26 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
DIODES INCORPORATED DMN10H170SVT-7 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 2,1 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — TSOT26.
Напряжение сток-исток — 100В; Сопротивление в открытом состоянии — 0,2Ом; Рассеиваемая мощность — 1,7Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 9,7нC; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В; Ток стока в импульсном режиме — 11,2А.
Перед заказом проверьте артикул DMN10H170SVT-7, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 2,1 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- TSOT26
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- DMN10H170SVT-7
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
