DIODES INCORPORATED
· Полупроводники
DIODES INCORPORATED DMN10H099SK3-13 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: DMN10H099SK3-13
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 13А; Idm: 20А; 22Вт; TO252
Ток стока: 13 А · Монтаж: SMD · Корпус: TO252 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
DIODES INCORPORATED DMN10H099SK3-13 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 13 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — TO252.
Напряжение сток-исток — 100В; Сопротивление в открытом состоянии — 99мОм; Рассеиваемая мощность — 22Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 25,2нC; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В; Ток стока в импульсном режиме — 20А.
Перед заказом проверьте артикул DMN10H099SK3-13, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 13 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- TO252
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- DMN10H099SK3-13
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
