DIODES INCORPORATED
· Полупроводники
DIODES INCORPORATED DMN1019UVT-13 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: DMN1019UVT-13
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 12В; 10,1А; Idm: 70А; 1,11Вт; TSOT26
Ток стока: 10,1 А · Монтаж: SMD · Корпус: TSOT26 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
DIODES INCORPORATED DMN1019UVT-13 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 10,1 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — TSOT26.
Напряжение сток-исток — 12В; Сопротивление в открытом состоянии — 41мОм; Рассеиваемая мощность — 1,11Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 50,4нC; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±8В; Ток стока в импульсном режиме — 70А.
Перед заказом проверьте артикул DMN1019UVT-13, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 10,1 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- TSOT26
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- DMN1019UVT-13
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
