DIODES INCORPORATED · Полупроводники

DIODES INCORPORATED DMG4800LK3-13 — Транзисторы с каналом N SMD

MPN / артикул: DMG4800LK3-13

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 6,5А; 1,71Вт; TO252

Производитель автоматикиDIODES INCORPORATED
АртикулDMG4800LK3-13
РазделПолупроводники
Единицашт

Ток стока: 6,5 А · Монтаж: SMD · Корпус: TO252 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD

Фото товара

DIODES INCORPORATED DMG4800LK3-13 — Транзисторы с каналом N SMD

1 / 1

Внешний вид может зависеть от исполнения. Перед заказом сверяйте маркировку и артикул.

О модели

Описание

DIODES INCORPORATED DMG4800LK3-13 — транзистор.

Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 6,5 А.

Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — TO252.

Напряжение сток-исток — 30В; Сопротивление в открытом состоянии — 24мОм; Рассеиваемая мощность — 1,71Вт; Полярность — полевой.

Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±25В.

Перед заказом проверьте артикул DMG4800LK3-13, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры

Технические характеристики

Ток стока
6,5 А
Монтаж
SMD
Корпус
TO252
Тип транзистора
N-MOSFET
Единица продажи
шт
Артикул производителя
DMG4800LK3-13
Инженерный подбор

Не нашли точную модель?

На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.