DIODES INCORPORATED · Полупроводники

DIODES INCORPORATED DMG4413LSS-13 — Транзисторы с каналом P SMD

MPN / артикул: DMG4413LSS-13

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -17А; Idm: -45А; 1,4Вт; SO8

Производитель автоматикиDIODES INCORPORATED
АртикулDMG4413LSS-13
РазделПолупроводники
Единицашт

Монтаж: SMD · Корпус: SO8 · Тип транзистора: P-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом P SMD

Фото товара

DIODES INCORPORATED DMG4413LSS-13 — Транзисторы с каналом P SMD

1 / 1

Внешний вид может зависеть от исполнения. Перед заказом сверяйте маркировку и артикул.

О модели

Описание

DIODES INCORPORATED DMG4413LSS-13. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».

Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SO8; Напряжение сток-исток — -30В; Ток стока — -17А.

Сопротивление в открытом состоянии — 10,2мОм; Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 1,4Вт; Полярность — полевой.

Заряд затвора — 46нC; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В; Ток стока в импульсном режиме — -45А.

Перед заказом проверьте артикул DMG4413LSS-13, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры

Технические характеристики

Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Тип транзистора
P-MOSFET
Единица продажи
шт
Артикул производителя
DMG4413LSS-13
Инженерный подбор

Не нашли точную модель?

На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.