DIODES INCORPORATED DGD2106MS8-13 — Драйверы MOSFET/IGBT
IC: driver; полумост IGBT,полумост MOSFET; SO8; -600÷290мА; Ch: 2
Количество каналов: 2 · Тип микросхемы: driver · Монтаж: SMD · Корпус: SO8 · Тип товара: Драйверы MOSFET/IGBT
Описание
DIODES INCORPORATED DGD2106MS8-13. Категория: «Драйверы MOSFET/IGBT».
Монтаж — поверхностный (SMD); Рабочая температура — -40...125°C; Корпус — SO8; Напряжение питания — 10...20В DC.
Выходной ток — -600...290мА; Тип микросхемы — driver; Время нарастания импульса — 220нс; Время падения импульса — 80нс.
Количество каналов — 2; Характеристики интегральных схем — integrated bootstrap functionality; Защита — от снижения напряжения UVP; Вид микросхемы — high-/low-side; контроллер затвора.
Топология — полумост IGBT; полумост MOSFET; Класс напряжения — 600В.
Технические характеристики
- Количество каналов
- 2
- Тип микросхемы
- driver
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SO8
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- DGD2106MS8-13
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
