TVS-диод Littelfuse SMDJ170A
Littelfuse SMDJ170A — однонаправленный защитный TVS-диод серии SMDJ для ограничения кратковременных перенапряжений в электронных цепях. Компонент предназначен для поверхностного монтажа и выполнен в корпусе DO-214AB (SMC). Полупроводниковый переход имеет стеклянную пассивацию. Рабочее обратное напряжение составляет 170 В. Диапазон напряжения пробоя — 189–209 В при измерительном токе 1 мА. Максимальное напряжение ограничения — 275 В при импульсном токе 10,9 А и форме импульса 10/1000 мкс. Пиковая импульсная мощность — 3 кВт при температуре выводов 25 °C; с ростом начальной температуры перехода допустимая импульсная нагрузка снижается. Диод применяется для защиты цепей питания и интерфейсных линий от переходных процессов. Монтажное исполнение SMD позволяет размещать компонент на печатной плате рядом с защищаемой цепью. Масса компонента: 0,21 г.
Документация для оборудования1 материалов; язык и редакция указаны отдельноОписание
Littelfuse SMDJ170A — однонаправленный защитный TVS-диод серии SMDJ для ограничения кратковременных перенапряжений в электронных цепях. Компонент предназначен для поверхностного монтажа и выполнен в корпусе DO-214AB (SMC). Полупроводниковый переход имеет стеклянную пассивацию. Рабочее обратное напряжение составляет 170 В. Диапазон напряжения пробоя — 189–209 В при измерительном токе 1 мА. Максимальное напряжение ограничения — 275 В при импульсном токе 10,9 А и форме импульса 10/1000 мкс. Пиковая импульсная мощность — 3 кВт при температуре выводов 25 °C; с ростом начальной температуры перехода допустимая импульсная нагрузка снижается. Диод применяется для защиты цепей питания и интерфейсных линий от переходных процессов. Монтажное исполнение SMD позволяет размещать компонент на печатной плате рядом с защищаемой цепью. Масса компонента: 0,21 г.
Технические характеристики
- Производитель
- LITTELFUSE
- Корпус
- DO214AB
- Монтаж
- SMD
- Погрешность
- ±5%
- Напряжение пробоя
- 199В
- Серия производителя
- SMDJ
- Импульсный ток
- 10,9А
- Рассеиваемая мощность в импульсе макс.
- 3кВт
- Характеристики полупроводниковых элементов
- glass passivated
- Обратное напряжение макс.
- 170В
- Вид упаковки
- бобина, лента
- Конструкция диода
- однонаправленный
- Ток утечки
- 2мкА
- Тип диода
- TVS
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- SMDJ170A
Документация
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
