DACO Semiconductor
· Полупроводники
DACO Semiconductor DACMI160N1200 — Транзисторные модули
MPN / артикул: DACMI160N1200
Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 110А; SOT227B; винтами; 580Вт
Ток стока: 110 А · Корпус: SOT227B · Тип товара: Транзисторные модули
О модели
Описание
DACO Semiconductor DACMI160N1200. Категория: «Транзисторные модули».
Рабочая температура — -55...150°C; Корпус — SOT227B; Конструкция диода — одиночный транзистор; Напряжение сток-исток — 1,2кВ.
Ток стока — 110 А; Сопротивление в открытом состоянии — 20мОм; Рассеиваемая мощность — 580Вт; Полярность — полевой.
Электрический монтаж — винтами; Механический монтаж — винтами; Технология — SiC; Напряжение затвор-исток — -5...20В.
Ток стока в импульсном режиме — 400А; Тип полупроводникового модуля — MOSFET транзистор.
Перед заказом проверьте артикул DACMI160N1200, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 110 А
- Корпус
- SOT227B
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- DACMI160N1200
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
