BRIDGELUX · Полупроводники

BRIDGELUX BXW60M1K2J — Транзисторы с каналом N THT

MPN / артикул: BXW60M1K2J

Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 60А; Idm: 240А; 271,7Вт

Производитель автоматикиBRIDGELUX
АртикулBXW60M1K2J
РазделПолупроводники
Единицашт

Ток стока: 60 А · Монтаж: THT · Корпус: TO247-4 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N THT

Фото товара

BRIDGELUX BXW60M1K2J — Транзисторы с каналом N THT

1 / 1

Внешний вид может зависеть от исполнения. Перед заказом сверяйте маркировку и артикул.

О модели

Описание

BRIDGELUX BXW60M1K2J — транзистор.

Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 60 А.

Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — TO247-4.

Напряжение сток-исток — 1,2кВ; Сопротивление в открытом состоянии — 80мОм; Рассеиваемая мощность — 271,7Вт; Полярность — полевой.

Характеристики полупроводниковых элементов — вывод Кельвина; Заряд затвора — 170нC; Технология — SiC; Вид канала — обогащенный.

Напряжение затвор-исток — -3...18В; Ток стока в импульсном режиме — 240А.

Перед заказом проверьте артикул BXW60M1K2J, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры

Технические характеристики

Ток стока
60 А
Монтаж
THT
Корпус
TO247-4
Тип транзистора
N-MOSFET
Единица продажи
шт
Артикул производителя
BXW60M1K2J
Инженерный подбор

Не нашли точную модель?

На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.