BRIDGELUX · Полупроводники

BRIDGELUX BXW10M1K2H — Транзисторы с каналом N THT

MPN / артикул: BXW10M1K2H

Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 10А; Idm: 40А; 80,6Вт

Производитель автоматикиBRIDGELUX
АртикулBXW10M1K2H
РазделПолупроводники
Единицашт

Ток стока: 10 А · Монтаж: THT · Корпус: TO247-3 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N THT

Фото товара

BRIDGELUX BXW10M1K2H — Транзисторы с каналом N THT

1 / 1

Внешний вид может зависеть от исполнения. Перед заказом сверяйте маркировку и артикул.

О модели

Описание

BRIDGELUX BXW10M1K2H — транзистор.

Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 10 А.

Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — TO247-3.

Напряжение сток-исток — 1,2кВ; Сопротивление в открытом состоянии — 610мОм; Рассеиваемая мощность — 80,6Вт; Полярность — полевой.

Заряд затвора — 29нC; Технология — SiC; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — -3...20В.

Ток стока в импульсном режиме — 40А.

Перед заказом проверьте артикул BXW10M1K2H, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры

Технические характеристики

Ток стока
10 А
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Тип транзистора
N-MOSFET
Единица продажи
шт
Артикул производителя
BXW10M1K2H
Инженерный подбор

Не нашли точную модель?

На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.