BASiC SEMICONDUCTOR BGH50N65HS1 — Транзисторы IGBT THT
Транзистор: IGBT; SiC SBD; 650В; 50А; 357Вт; TO247-3
Ток коллектора: 50 А · Монтаж: THT · Корпус: TO247-3 · Тип транзистора: IGBT · Тип товара: Транзисторы IGBT THT
Описание
BASiC SEMICONDUCTOR BGH50N65HS1. Категория: «Транзисторы IGBT THT».
Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — TO247-3; Напряжение коллектор-эмиттер — 650В; Напряжение затвор - эмиттер — ±20В.
Ток коллектора — 50 А; Ток коллектора в импульсе — 200А; Время включения — 54нс; Время выключения — 256нс.
Тип транзистора — IGBT; Рассеиваемая мощность — 357Вт; Характеристики полупроводниковых элементов — integrated anti-parallel diode; Заряд затвора — 308нC.
Технология — Field Stop; SiC SBD; Trench.
Технические характеристики
- Ток коллектора
- 50 А
- Монтаж
- THT
- Корпус
- TO247-3
- Тип транзистора
- IGBT
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- BGH50N65HS1
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
