BASiC SEMICONDUCTOR
· Полупроводники
BASiC SEMICONDUCTOR B2M600170HH — Транзисторы с каналом N THT
MPN / артикул: B2M600170HH
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 5А; Idm: 10А; 75Вт
Ток стока: 5 А · Монтаж: THT · Корпус: TO247-3 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N THT
О модели
Описание
BASiC SEMICONDUCTOR B2M600170HH — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 5 А.
Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — TO247-3.
Напряжение сток-исток — 1,7кВ; Сопротивление в открытом состоянии — 0,6Ом; Рассеиваемая мощность — 75Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 14нC; Технология — SiC; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — -4...18В.
Ток стока в импульсном режиме — 10А.
Перед заказом проверьте артикул B2M600170HH, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 5 А
- Монтаж
- THT
- Корпус
- TO247-3
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- B2M600170HH
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
