BASiC SEMICONDUCTOR
· Полупроводники
BASiC SEMICONDUCTOR B2M065120R — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: B2M065120R
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 24А; Idm: 85А; 150Вт
Ток стока: 24 А · Монтаж: SMD · Корпус: TO263-7 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
BASiC SEMICONDUCTOR B2M065120R — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 24 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — TO263-7.
Напряжение сток-исток — 1,2кВ; Сопротивление в открытом состоянии — 65мОм; Рассеиваемая мощность — 150Вт; Полярность — полевой.
Характеристики полупроводниковых элементов — вывод Кельвина; Заряд затвора — 60нC; Технология — SiC; Вид канала — обогащенный.
Напряжение затвор-исток — -4...18В; Ток стока в импульсном режиме — 85А.
Перед заказом проверьте артикул B2M065120R, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 24 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- TO263-7
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- B2M065120R
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
