BASiC SEMICONDUCTOR
· Полупроводники
BASiC SEMICONDUCTOR B2M065120H — Транзисторы с каналом N THT
MPN / артикул: B2M065120H
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 33А; Idm: 85А; 250Вт
Ток стока: 33 А · Монтаж: THT · Корпус: TO247-3 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N THT
Документация для оборудования1 материалов; язык и редакция указаны отдельноО модели
Описание
BASiC SEMICONDUCTOR B2M065120H — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 33 А.
Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — TO247-3.
Напряжение сток-исток — 1,2кВ; Сопротивление в открытом состоянии — 65мОм; Рассеиваемая мощность — 250Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 60нC; Технология — SiC; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — -4...18В.
Ток стока в импульсном режиме — 85А.
Перед заказом проверьте артикул B2M065120H, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 33 А
- Монтаж
- THT
- Корпус
- TO247-3
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- B2M065120H
Материалы
Документация
Техническое описание: B2M065120HEN · PDF на prom-elec.com
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
