BASiC SEMICONDUCTOR B2M035120YP — Транзисторы с каналом N THT
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 60А; Idm: 190А; 375Вт
Ток стока: 60 А · Монтаж: THT · Корпус: TO247PLUS-4 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N THT
Описание
BASiC SEMICONDUCTOR B2M035120YP — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 60 А.
Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — TO247PLUS-4.
Напряжение сток-исток — 1,2кВ; Сопротивление в открытом состоянии — 35мОм; Рассеиваемая мощность — 375Вт; Полярность — полевой.
Характеристики полупроводниковых элементов — вывод Кельвина; Заряд затвора — 115нC; Технология — SiC; Вид канала — обогащенный.
Напряжение затвор-исток — -4...18В; Ток стока в импульсном режиме — 190А.
Технические характеристики
- Ток стока
- 60 А
- Монтаж
- THT
- Корпус
- TO247PLUS-4
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- B2M035120YP
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
