BASiC SEMICONDUCTOR
· Полупроводники
BASiC SEMICONDUCTOR B1M080120HK — Транзисторы с каналом N THT
MPN / артикул: B1M080120HK
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 27А; Idm: 80А; 241Вт
Ток стока: 27 А · Монтаж: THT · Корпус: TO247-4 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N THT
О модели
Описание
BASiC SEMICONDUCTOR B1M080120HK — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 27 А.
Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — TO247-4.
Напряжение сток-исток — 1,2кВ; Сопротивление в открытом состоянии — 80мОм; Рассеиваемая мощность — 241Вт; Полярность — полевой.
Характеристики полупроводниковых элементов — вывод Кельвина; Заряд затвора — 149нC; Технология — SiC; Вид канала — обогащенный.
Напряжение затвор-исток — -5...20В; Ток стока в импульсном режиме — 80А.
Перед заказом проверьте артикул B1M080120HK, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 27 А
- Монтаж
- THT
- Корпус
- TO247-4
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- B1M080120HK
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
