Analog Devices (MAXIM INTEGRATED)
· Интегральные микросхемы
Analog Devices (MAXIM INTEGRATED) DS1230Y-120+ — Памяти SRAM параллельные
MPN / артикул: DS1230Y-120+
IC: память SRAM; 256бSRAM; 32Кx8бит; 4,5÷5,5В; 120нс; DIP28
Тип микросхемы: память SRAM · Монтаж: THT · Корпус: DIP28 · Тип товара: Памяти SRAM параллельные
О модели
Описание
Analog Devices (MAXIM INTEGRATED) DS1230Y-120+. Категория: «Памяти SRAM параллельные».
Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — DIP28; Рабочее напряжение — 4,5...5,5В; Тип микросхемы — память SRAM.
Вид памяти — NV SRAM; Структура памяти — 32Кx8бит; Время доступа — 120нс; Виды интерфейса — параллельный.
Память — 256б SRAM.
Перед заказом проверьте артикул DS1230Y-120+, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Тип микросхемы
- память SRAM
- Монтаж
- THT
- Корпус
- DIP28
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- DS1230Y-120+
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
