ALLIANCE MEMORY
· Интегральные микросхемы
ALLIANCE MEMORY AS6C8016A-55ZINTR — Памяти SRAM параллельные
MPN / артикул: AS6C8016A-55ZINTR
IC: память SRAM; 8МбSRAM; 512Кx16бит; 3,3В; 55нс; TSOP44 II
Тип микросхемы: память SRAM · Монтаж: SMD · Корпус: TSOP44 II · Тип товара: Памяти SRAM параллельные · Рабочее напряжение: 3,3 В
Документация для оборудования2 материалов; язык и редакция указаны отдельноО модели
Описание
ALLIANCE MEMORY AS6C8016A-55ZINTR. Категория: «Памяти SRAM параллельные».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — TSOP44 II; Рабочее напряжение — 3,3 В; Тип микросхемы — память SRAM.
Вид памяти — SRAM; асинхронная; Структура памяти — 512Кx16бит; Время доступа — 55нс; Характеристики интегральных схем — LPC.
Ширина микросхемы — 400mils; Виды интерфейса — параллельный; Память — 8Мб SRAM.
Перед заказом проверьте артикул AS6C8016A-55ZINTR, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Тип микросхемы
- память SRAM
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- TSOP44 II
- Рабочее напряжение
- 3,3 В
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- AS6C8016A-55ZINTR
Материалы
Документация
Техническое описание: Alliance Selection Guide Print2025EN · PDF на prom-elec.com
Техническое описание: AS6C8016AEN · PDF на prom-elec.com
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
