ALLIANCE MEMORY
· Интегральные микросхемы
ALLIANCE MEMORY AS6C2016-55ZIN — Памяти SRAM параллельные
MPN / артикул: AS6C2016-55ZIN
IC: память SRAM; 2МбSRAM; 128Кx16бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TSOP44 II
Тип микросхемы: память SRAM · Монтаж: SMD · Корпус: TSOP44 II · Тип товара: Памяти SRAM параллельные
Документация для оборудования1 материалов; язык и редакция указаны отдельноО модели
Описание
ALLIANCE MEMORY AS6C2016-55ZIN. Категория: «Памяти SRAM параллельные».
Монтаж — поверхностный (SMD); Рабочая температура — -40...85°C; Корпус — TSOP44 II; Рабочее напряжение — 2,7...5,5В.
Тип микросхемы — память SRAM; Вид памяти — SRAM; Структура памяти — 128Кx16бит; Время доступа — 55нс.
Характеристики интегральных схем — LPC; synchronous; Виды интерфейса — параллельный; Память — 2Мб SRAM.
Перед заказом проверьте артикул AS6C2016-55ZIN, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Тип микросхемы
- память SRAM
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- TSOP44 II
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- AS6C2016-55ZIN
Материалы
Документация
Техническое описание: Alliance Selection Guide Print2025EN · PDF на prom-elec.com
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
